Основные Код производителя: MZ-V9P1T0BW Внимание: В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита. Назначение: внутренний Тип: SSD Форм-фактор: M.2 Интерфейс: PCI-E 4.0 x4 Поддержка NVMe: да Объём накопителя: 1000 Гб Тип флэш-памяти: TLC Объём кэш памяти: 1024 Мб, Low Power DDR4 Скорость чтения: 7450 МБ/сек Скорость записи: 6900 МБ/сек Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков: 1200000 IOPS, QD32 Скорость произвольной записи 4 КБ блоков: 1550000 IOPS Дополнительно Время наработки на отказ: 1500000 ч Цвета, использованные в оформлении: чёрный Размеры (ШхВхГ): 80 x 22 x 3 мм Вес: 0.009 кг